Vishay Siliconix - SI7326DN-T1-E3

KEY Part #: K6396433

SI7326DN-T1-E3 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [239890дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.15419
  • 3,000 pcs$0.14509

Рақами Қисм:
SI7326DN-T1-E3
Истеҳсолкунанда:
Vishay Siliconix
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо, Транзисторҳо - Биполяр (BJT) - Массаҳо, Диодҳо - Rectifiers Bridge, Диодҳо - RF, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF, Модулҳои драйвери барқ, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда and Транзисторҳо - Ҳадафи махсус ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Vishay Siliconix SI7326DN-T1-E3 electronic components. SI7326DN-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7326DN-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7326DN-T1-E3 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : SI7326DN-T1-E3
Истеҳсолкунанда : Vishay Siliconix
Тавсифи : MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
Серияхо : TrenchFET®
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 6.5A (Ta)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 19.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 13nC @ 5V
Vgs (Макс) : ±25V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : -
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 1.5W (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : PowerPAK® 1212-8
Бастаи / Парвандаи : PowerPAK® 1212-8

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед