Vishay Semiconductor Diodes Division - GBU4JL-5707E3/45

KEY Part #: K6541719

[12283дона саҳҳомӣ]


    Рақами Қисм:
    GBU4JL-5707E3/45
    Истеҳсолкунанда:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Тавсифи муфассал:
    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBU.
    Manufacturer's standard lead time:
    Дар фурӯш
    Муҳлати нигоҳдорӣ:
    Як сол
    Chip Аз:
    Гонконг
    RoHS:
    Намуди пардохт:
    Тарзи интиқол:
    Категорияҳои оила:
    KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - Биполяр (BJT) - Массаҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Транзисторҳо - JFETs, Тиристорҳо - TRIACs, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ and Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо ...
    Афзалияти рақобатӣ:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GBU4JL-5707E3/45 electronic components. GBU4JL-5707E3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GBU4JL-5707E3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GBU4JL-5707E3/45 Аттрибутҳои маҳсулот

    Рақами Қисм : GBU4JL-5707E3/45
    Истеҳсолкунанда : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Тавсифи : BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBU
    Серияхо : -
    Статуси Қисми : Obsolete
    Навъи диод : Single Phase
    Технология : Standard
    Шиддат - Пурсиши баландтарин (макс) : 600V
    Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) : 3A
    Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар : 1V @ 4A
    Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr : 5µA @ 600V
    Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Навъи монтаж : Through Hole
    Бастаи / Парвандаи : 4-SIP, GBU
    Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : GBU

    Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
    • DBA250G

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A.

    • DBG250G

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.6A.

    • DBF10G

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A.

    • TB4S-G

      Comchip Technology

      BRIDGE RECT 1P 400V 800MA 4TBS. Bridge Rectifiers RECT BRIDGE .8A 400V

    • TB6S-G

      Comchip Technology

      BRIDGE RECT 1P 600V 800MA 4TBS.

    • TB2S-G

      Comchip Technology

      BRIDGE RECT 1P 200V 800MA 4TBS. Bridge Rectifiers VR=200V IF(AV)=1A