Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
100V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
9.7A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
200 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
25nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
330pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
3.8W (Ta), 48W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
D2PAK
Бастаи / Парвандаи :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB