Microchip Technology - DN2530N3-G

KEY Part #: K6401271

Категорияҳои оила:: KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Тиристорҳо - SCRs, Транзисторҳо - IGBTs - массивҳо, Транзисторҳо - IGBTs - ягона, Транзисторҳо - Ҳадафи махсус, Диодҳо - Zener - Ягона, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо, Транзисторҳо - JFETs and Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ ...

Афзалияти рақобатӣ:: We specialize in Microchip Technology DN2530N3-G electronic components. DN2530N3-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DN2530N3-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Рақами Қисм : DN2530N3-G

Истеҳсолкунанда : Microchip Technology

Тавсифи : MOSFET N-CH 300V 0.175A TO92-3

Серияхо : -

Статуси Қисми : Active

Навъи FET : N-Channel

Технология : MOSFET (Metal Oxide)

Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) : 300V

Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 175mA (Tj)

Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 0V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 Ohm @ 150mA, 0V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : -

Vgs (Макс) : ±20V

Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 300pF @ 25V

Хусусияти FET : Depletion Mode

Тақсимоти барқ (Макс) : 740mW (Ta)

Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)

Навъи монтаж : Through Hole

Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : TO-92 (TO-226)

Бастаи / Парвандаи : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед

LND150N3-G

Microchip Technology

MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.
DN2530N3-G

Microchip Technology

MOSFET N-CH 300V 0.175A TO92-3.
AUIRLR024ZTRL

Infineon Technologies

MOSFET N CH 55V 16A DPAK.
IRFIBC30GPBF

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220FP.
SI1428EDH-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CHANNEL 30V 4A SC70-6.
TPC8048-H(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 60V 16A 8-SOP.

Қисмҳои гарм