IXYS - IXTY1R6N50P

KEY Part #: K6419230

IXTY1R6N50P Нархгузорӣ (доллари ИМА) [98235дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.46005
  • 70 pcs$0.45776

Рақами Қисм:
IXTY1R6N50P
Истеҳсолкунанда:
IXYS
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо, Диодҳо - RF, Тиристорҳо - DIACs, SIDACs, Транзисторҳо - Ҳадафи махсус, Диодҳо - Зенер - Массивҳо, Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF and Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in IXYS IXTY1R6N50P electronic components. IXTY1R6N50P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTY1R6N50P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTY1R6N50P Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : IXTY1R6N50P
Истеҳсолкунанда : IXYS
Тавсифи : MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
Серияхо : PolarHV™
Статуси Қисми : Last Time Buy
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 500V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 1.6A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 25µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 3.9nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 140pF @ 25V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 43W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : TO-252, (D-Pak)
Бастаи / Парвандаи : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед