Истеҳсолкунанда :
ON Semiconductor
Тавсифи :
MOSFET N-CH 100V 19A TO-220
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
100V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
19A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
18nC @ 5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
870pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
75W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-220-3
Бастаи / Парвандаи :
TO-220-3