Рақами Қисм :
NP82N04PDG-E1-AY
Истеҳсолкунанда :
Renesas Electronics America
Тавсифи :
MOSFET N-CH 40V 82A TO-263
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
40V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
82A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.5 mOhm @ 41A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
150nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
9000pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
1.8W (Ta), 143W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-263
Бастаи / Парвандаи :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB