[3145дона саҳҳомӣ]
- Рақами Қисм:
- JAN1N6623
- Истеҳсолкунанда:
- Microsemi Corporation
- Тавсифи муфассал:
- DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL. Rectifiers Rectifier
- Manufacturer's standard lead time:
- Дар фурӯш
- Муҳлати нигоҳдорӣ:
- Як сол
- Chip Аз:
- Гонконг
- RoHS:
- Намуди пардохт:
-
- Тарзи интиқол:
- Категорияҳои оила:
- KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF, Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо, Транзисторҳо - IGBTs - массивҳо, Транзисторҳо - Ҳадафи махсус, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға, Транзисторҳо - IGBTs - ягона and Диодҳо - Rectifiers Bridge ...
- Афзалияти рақобатӣ:
- We specialize in Microsemi Corporation JAN1N6623 electronic components. JAN1N6623 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N6623, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
JAN1N6623 Аттрибутҳои маҳсулот
Рақами Қисм :
JAN1N6623
Истеҳсолкунанда :
Microsemi Corporation
Тавсифи :
DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
Серияхо :
Military, MIL-PRF-19500/585
Статуси Қисми :
Active
Навъи диод :
Standard
Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) :
800V
Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) :
1A
Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар :
1.55V @ 1A
Суръат :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) :
30ns
Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr :
500nA @ 800V
Иқтидори @ Vr, F :
-
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи / Парвандаи :
A, Axial
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
A-PAK
Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ :
-65°C ~ 150°C
Охирин хабарҳо
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
-
RJU6052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252
-
RJU4352SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252
-
RJU3052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252
-
UD0506T-TL-H
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF
-
-
Қисмҳои гарм
- BAS16J/ZLF
- R7004203XXUA
- 1N4148 BK
- MBRH30040L
- VS-8ETX06STRLPBF
- 1N3292B
- V20100SHM3/4W
- RGP10D-M3/54
- RGP02-20E-M3/54
- RGP10AHM3/73
- SSB44HE3/52T
- RK 39
- CD214B-B230LF
- CD214B-B120LF
- CD214A-B220LF
- CDBMH2100-HF
- 1N3900R
- NSR05F30NRT5G
- UG5JT-E3/45
- FES16ATHE3/45
- DTV32F-E3/45
- 1N5401-AP
- SS3P6LHM3/86A
- SS2H9HE3/5BT
- S4PGHM3/87A
- 1N4002_NL
- UG2003-T
- SIDC32D170HX1SA3
- SIDC09D60E6YX1SA1
- JANTX1N6623
- STTA106U
- 1N5404RL
- MA2778400L
- IRKE166/14
- IRD3910R
- FR505-TP
- SE20DBHM3/I
- ES3B-M3/57T
- MUR315S M6G
- ES2A-M3/52T