Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET N-CH 40V 100A IPAK
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
40V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
100A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.1 mOhm @ 76A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 100µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
99nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
3171pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
99W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
I-PAK
Бастаи / Парвандаи :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA