Рақами Қисм :
DMG6601LVT-7
Истеҳсолкунанда :
Diodes Incorporated
Тавсифи :
MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
Навъи FET :
N and P-Channel
Хусусияти FET :
Logic Level Gate
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
3.8A, 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
55 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
12.3nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
422pF @ 15V
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TSOT-26