EPC - EPC2012

KEY Part #: K6406610

Категорияҳои оила:: KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор, Тиристорҳо - SCRs, Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо, Тиристорҳо - TRIACs, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо, Транзисторҳо - FETS, MOSFETҳо - ягона, Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо and Диодҳо - Rectifiers - Массаҳо ...

Афзалияти рақобатӣ:: We specialize in EPC EPC2012 electronic components. EPC2012 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2012, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Рақами Қисм : EPC2012

Истеҳсолкунанда : EPC

Тавсифи : GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE

Серияхо : eGaN®

Статуси Қисми : Discontinued at Digi-Key

Навъи FET : N-Channel

Технология : GaNFET (Gallium Nitride)

Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) : 200V

Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 3A (Ta)

Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 3A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 1.8nC @ 5V

Vgs (Макс) : +6V, -5V

Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 145pF @ 100V

Хусусияти FET : -

Тақсимоти барқ (Макс) : -

Ҳарорати амалиётӣ : -40°C ~ 125°C (TJ)

Навъи монтаж : Surface Mount

Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : Die

Бастаи / Парвандаи : Die

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед