Vishay Siliconix - SI7489DP-T1-GE3

KEY Part #: K6393659

SI7489DP-T1-GE3 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [69009дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.56660
  • 3,000 pcs$0.53085

Рақами Қисм:
SI7489DP-T1-GE3
Истеҳсолкунанда:
Vishay Siliconix
Тавсифи муфассал:
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Тиристорҳо - TRIACs, Тиристорҳо - SCRs, Транзисторҳо - IGBTs - ягона, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Транзисторҳо - Биполяр (BJT) - Массаҳо, Диодҳо - Rectifiers - ягона and Диодҳо - RF ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Vishay Siliconix SI7489DP-T1-GE3 electronic components. SI7489DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7489DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7489DP-T1-GE3 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : SI7489DP-T1-GE3
Истеҳсолкунанда : Vishay Siliconix
Тавсифи : MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Серияхо : TrenchFET®
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 100V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 28A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 41 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 160nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 4600pF @ 50V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 5.2W (Ta), 83W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : PowerPAK® SO-8
Бастаи / Парвандаи : PowerPAK® SO-8

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
  • VN2410L-G-P014

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3.

  • TN0620N3-G-P014

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3.

  • FDD4243

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK.

  • FCD5N60-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK.

  • IXTY02N50D

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK.

  • FDD4141

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK.