Рақами Қисм :
IPI80N06S207AKSA2
Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
55V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
80A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.6 mOhm @ 68A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 180µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
110nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
3400pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
250W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PG-TO262-3-1
Бастаи / Парвандаи :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA