Rohm Semiconductor - R6002END3TL1

KEY Part #: K6393154

R6002END3TL1 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [242031дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.15282

Рақами Қисм:
R6002END3TL1
Истеҳсолкунанда:
Rohm Semiconductor
Тавсифи муфассал:
NCH 600V 2A POWER MOSFET.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Диодҳо - Rectifiers Bridge, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Диодҳо - Rectifiers - ягона, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор, Транзисторҳо - IGBTs - ягона, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF and Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Rohm Semiconductor R6002END3TL1 electronic components. R6002END3TL1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for R6002END3TL1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

R6002END3TL1 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : R6002END3TL1
Истеҳсолкунанда : Rohm Semiconductor
Тавсифи : NCH 600V 2A POWER MOSFET
Серияхо : -
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 600V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 1.7A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 6.5nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 65pF @ 25V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 26W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : TO-252
Бастаи / Парвандаи : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед