Рақами Қисм :
SIZ710DT-T1-GE3
Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR
Навъи FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
Хусусияти FET :
Logic Level Gate
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
20V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
16A, 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.8 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
18nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
820pF @ 10V
Ҳокимият - Макс :
27W, 48W
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
6-PowerPair™
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
6-PowerPair™