Рақами Қисм :
IXTY02N120P
Тавсифи :
MOSFET N-CH 1200V 0.2A DPAK
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
1200V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
200mA (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
75 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 100µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
4.7nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
104pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
33W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-252, (D-Pak)
Бастаи / Парвандаи :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63