Рақами Қисм :
RSJ650N10TL
Истеҳсолкунанда :
Rohm Semiconductor
Тавсифи :
MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
100V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
65A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.1 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
260nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
10780pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
100W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
LPTS
Бастаи / Парвандаи :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB