Vishay Semiconductor Diodes Division - US1GHE3_A/H

KEY Part #: K6455566

US1GHE3_A/H Нархгузорӣ (доллари ИМА) [636328дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.05813
  • 1,800 pcs$0.05412
  • 3,600 pcs$0.04961
  • 5,400 pcs$0.04660
  • 12,600 pcs$0.04360
  • 45,000 pcs$0.04009

Рақами Қисм:
US1GHE3_A/H
Истеҳсолкунанда:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Тавсифи муфассал:
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC. Rectifiers 400 Volt 1.0A 50ns 30 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Транзисторҳо - JFETs, Транзисторҳо - FETS, MOSFETҳо - ягона, Тиристорҳо - DIACs, SIDACs, Транзисторҳо - Ҳадафи махсус, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона and Диодҳо - Зенер - Массивҳо ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division US1GHE3_A/H electronic components. US1GHE3_A/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for US1GHE3_A/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

US1GHE3_A/H Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : US1GHE3_A/H
Истеҳсолкунанда : Vishay Semiconductor Diodes Division
Тавсифи : DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
Серияхо : Automotive, AEC-Q101
Статуси Қисми : Active
Навъи диод : Standard
Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) : 400V
Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) : 1A
Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар : 1V @ 1A
Суръат : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) : 50ns
Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr : 10µA @ 400V
Иқтидори @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи / Парвандаи : DO-214AC, SMA
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : DO-214AC (SMA)
Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ : -55°C ~ 150°C

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
  • C3D04060E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 4A

  • CSD01060E-TR

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1A, 600V

  • C4D10120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 10A

  • BAT64E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 40V 0.12A

  • MMBD1201

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Ultra Fast

  • MMBD914LT1HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 100V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.25A