Diodes Incorporated - DMN2005K-7

KEY Part #: K6417953

DMN2005K-7 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [500944дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.07384
  • 3,000 pcs$0.06608

Рақами Қисм:
DMN2005K-7
Истеҳсолкунанда:
Diodes Incorporated
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Тиристорҳо - DIACs, SIDACs, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ, Транзисторҳо - JFETs, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF, Тиристорҳо - TRIACs, Диодҳо - Zener - Ягона and Транзисторҳо - FETS, MOSFETҳо - ягона ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Diodes Incorporated DMN2005K-7 electronic components. DMN2005K-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN2005K-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2005K-7 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : DMN2005K-7
Истеҳсолкунанда : Diodes Incorporated
Тавсифи : MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Серияхо : -
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 20V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 300mA (Ta)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 1.8V, 2.7V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.7 Ohm @ 200mA, 2.7V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 100µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : -
Vgs (Макс) : ±10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : -
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 350mW (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ : -65°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : SOT-23-3
Бастаи / Парвандаи : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • 2N7000TA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • IXTY2N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.

  • IRFR4510TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 100V 56A DPAK.

  • TK8A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS.

  • SPA11N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.