Рақами Қисм :
BSB008NE2LXXUMA1
Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET N-CH 25V 46A 2WDSON
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
25V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
46A (Ta), 180A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
0.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
343nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
16000pF @ 12V
Тақсимоти барқ (Макс) :
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Бастаи / Парвандаи :
3-WDSON