Рақами Қисм :
DMN2600UFB-7
Истеҳсолкунанда :
Diodes Incorporated
Тавсифи :
MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
25V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
1.3A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
350 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
0.85nC @ 4.5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
70.13pF @ 15V
Тақсимоти барқ (Макс) :
540mW (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
3-DFN1006 (1.0x0.6)
Бастаи / Парвандаи :
3-UFDFN