Infineon Technologies - IRL40B212

KEY Part #: K6403698

IRL40B212 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [27833дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$1.41905
  • 10 pcs$1.26833
  • 100 pcs$0.98655
  • 500 pcs$0.79887
  • 1,000 pcs$0.67375

Рақами Қисм:
IRL40B212
Истеҳсолкунанда:
Infineon Technologies
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 40V 195A.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - IGBTs - массивҳо, Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо, Тиристорҳо - DIACs, SIDACs, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF, Диодҳо - Zener - Ягона, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор and Транзисторҳо - JFETs ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Infineon Technologies IRL40B212 electronic components. IRL40B212 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRL40B212, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRL40B212 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : IRL40B212
Истеҳсолкунанда : Infineon Technologies
Тавсифи : MOSFET N-CH 40V 195A
Серияхо : HEXFET®, StrongIRFET™
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 40V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 195A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 150µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 137nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±20V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 8320pF @ 25V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 231W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж : Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : TO-220AB
Бастаи / Парвандаи : TO-220-3

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед