Vishay Siliconix - SI2343CDS-T1-GE3

KEY Part #: K6418447

SI2343CDS-T1-GE3 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [383787дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.09638
  • 3,000 pcs$0.09104

Рақами Қисм:
SI2343CDS-T1-GE3
Истеҳсолкунанда:
Vishay Siliconix
Тавсифи муфассал:
MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-23.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо, Модулҳои драйвери барқ, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ, Диодҳо - Zener - Ягона, Тиристорҳо - SCRs, Транзисторҳо - Биполяр (BJT) - Массаҳо, Диодҳо - Rectifiers - Массаҳо and Тиристорҳо - DIACs, SIDACs ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Vishay Siliconix SI2343CDS-T1-GE3 electronic components. SI2343CDS-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2343CDS-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2343CDS-T1-GE3 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : SI2343CDS-T1-GE3
Истеҳсолкунанда : Vishay Siliconix
Тавсифи : MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-23
Серияхо : TrenchFET®
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 5.9A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 21nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 590pF @ 15V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : SOT-23-3 (TO-236)
Бастаи / Парвандаи : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед