Рақами Қисм :
TPCP8001-H(TE85LFM
Истеҳсолкунанда :
Toshiba Semiconductor and Storage
Тавсифи :
MOSFET N-CH 30V 7.2A PS-8
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
7.2A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 1mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
11nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
640pF @ 10V
Тақсимоти барқ (Макс) :
1W (Ta), 30W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PS-8 (2.9x2.4)
Бастаи / Парвандаи :
8-SMD, Flat Lead