1N5819HW-7-F Нархгузорӣ (доллари ИМА) [974181дона саҳҳомӣ]
- 1 pcs$0.03797
- 3,000 pcs$0.03480
- 6,000 pcs$0.03132
- 15,000 pcs$0.02784
- 30,000 pcs$0.02610
- 75,000 pcs$0.02314
- Рақами Қисм:
- 1N5819HW-7-F
- Истеҳсолкунанда:
- Diodes Incorporated
- Тавсифи муфассал:
- DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers Vr/40V Io/1A T/R
- Manufacturer's standard lead time:
- Дар фурӯш
- Муҳлати нигоҳдорӣ:
- Як сол
- Chip Аз:
- Гонконг
- RoHS:
- Намуди пардохт:
-
- Тарзи интиқол:
- Категорияҳои оила:
- KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға, Транзисторҳо - Ҳадафи махсус, Диодҳо - Rectifiers Bridge, Тиристорҳо - DIACs, SIDACs and Модулҳои драйвери барқ ...
- Афзалияти рақобатӣ:
- We specialize in Diodes Incorporated 1N5819HW-7-F electronic components. 1N5819HW-7-F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5819HW-7-F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N5819HW-7-F Аттрибутҳои маҳсулот
Рақами Қисм :
1N5819HW-7-F
Истеҳсолкунанда :
Diodes Incorporated
Тавсифи :
DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123
Серияхо :
-
Статуси Қисми :
Active
Навъи диод :
Schottky
Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) :
40V
Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) :
1A
Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар :
450mV @ 1A
Суръат :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) :
-
Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr :
1mA @ 40V
Иқтидори @ Vr, F :
60pF @ 4V, 1MHz
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
SOD-123
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
SOD-123
Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ :
-65°C ~ 125°C
Охирин хабарҳо
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
-
GL41YHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM
-
RGL34G-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
BYM07-300-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
-
BYM07-50-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
-
EGL34C-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 150 Volt 50ns
-
EGL34F-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 300 Volt 50ns
Қисмҳои гарм
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G