Рақами Қисм :
IXFN70N120SK
Технология :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
1200V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
68A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
34 mOhm @ 50A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 15mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
161nC @ 20V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
2790pF @ 1000V
Тақсимоти барқ (Макс) :
-
Ҳарорати амалиётӣ :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Chassis Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
SOT-227B
Бастаи / Парвандаи :
SOT-227-4, miniBLOC