Рақами Қисм :
SI7922DN-T1-E3
Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
Навъи FET :
2 N-Channel (Dual)
Хусусияти FET :
Logic Level Gate
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
100V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
195 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
8nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
PowerPAK® 1212-8 Dual
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PowerPAK® 1212-8 Dual