Рақами Қисм :
SPD08N50C3ATMA1
Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET N-CH 500V 7.6A DPAK
Статуси Қисми :
Not For New Designs
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
500V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
7.6A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
600 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 350µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
32nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
750pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
83W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PG-TO252-3-1
Бастаи / Парвандаи :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63