Taiwan Semiconductor Corporation - S8MC M6G

KEY Part #: K6457850

S8MC M6G Нархгузорӣ (доллари ИМА) [718289дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.05149

Рақами Қисм:
S8MC M6G
Истеҳсолкунанда:
Taiwan Semiconductor Corporation
Тавсифи муфассал:
DIODE GEN PURP 8A DO214AB.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо, Диодҳо - RF, Тиристорҳо - TRIACs, Транзисторҳо - FETS, MOSFETҳо - ягона, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Транзисторҳо - IGBTs - массивҳо, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо and Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation S8MC M6G electronic components. S8MC M6G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S8MC M6G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S8MC M6G Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : S8MC M6G
Истеҳсолкунанда : Taiwan Semiconductor Corporation
Тавсифи : DIODE GEN PURP 8A DO214AB
Серияхо : -
Статуси Қисми : Not For New Designs
Навъи диод : Standard
Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) : -
Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) : 8A
Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар : 985mV @ 8A
Суръат : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) : -
Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr : 10µA @ 1000V
Иқтидори @ Vr, F : 48pF @ 4V, 1MHz
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи / Парвандаи : DO-214AB, SMC
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : DO-214AB (SMC)
Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ : -55°C ~ 150°C

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
  • RGL34G-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-300-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • BYM07-50-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34C-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 150 Volt 50ns

  • EGL34F-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 300 Volt 50ns

  • EGL34A-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 0.5 Amp 50 Volt 50ns