Рақами Қисм :
TPCA8016-H(TE12LQM
Истеҳсолкунанда :
Toshiba Semiconductor and Storage
Тавсифи :
MOSFET N-CH 60V 25A 8-SOPA
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
60V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
25A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
21 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 1mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
22nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
1375pF @ 10V
Тақсимоти барқ (Макс) :
1.6W (Ta), 45W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-SOP Advance (5x5)
Бастаи / Парвандаи :
8-PowerVDFN