BAS16HLP-7 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [1298908дона саҳҳомӣ]
- 1 pcs$0.02848
- 3,000 pcs$0.02610
- 6,000 pcs$0.02349
- 15,000 pcs$0.02088
- 30,000 pcs$0.01958
- 75,000 pcs$0.01736
- Рақами Қисм:
- BAS16HLP-7
- Истеҳсолкунанда:
- Diodes Incorporated
- Тавсифи муфассал:
- DIODE GEN PURP 100V 215MA 2DFN. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast-Switch 125V Vrm 100V Vrrm 215mA Ifm
- Manufacturer's standard lead time:
- Дар фурӯш
- Муҳлати нигоҳдорӣ:
- Як сол
- Chip Аз:
- Гонконг
- RoHS:
- Намуди пардохт:
-
- Тарзи интиқол:
- Категорияҳои оила:
- KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға, Диодҳо - Rectifiers Bridge, Тиристорҳо - TRIACs, Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо, Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Диодҳо - Zener - Ягона and Транзисторҳо - FETS, MOSFETҳо - ягона ...
- Афзалияти рақобатӣ:
- We specialize in Diodes Incorporated BAS16HLP-7 electronic components. BAS16HLP-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS16HLP-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS16HLP-7 Аттрибутҳои маҳсулот
Рақами Қисм :
BAS16HLP-7
Истеҳсолкунанда :
Diodes Incorporated
Тавсифи :
DIODE GEN PURP 100V 215MA 2DFN
Серияхо :
-
Статуси Қисми :
Active
Навъи диод :
Standard
Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) :
100V
Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) :
215mA
Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар :
1.25V @ 150mA
Суръат :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) :
4ns
Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr :
500nA @ 80V
Иқтидори @ Vr, F :
1.5pF @ 0V, 1MHz
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
0402 (1006 Metric)
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
X1-DFN1006-2
Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ :
-65°C ~ 150°C
Охирин хабарҳо
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
-
BAS16-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300mA 100V
-
-
BAS16E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A
-
-
CMDD6001 TR
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA
-
VS-5EWH06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns
Қисмҳои гарм
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18