Истеҳсолкунанда :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Тавсифи :
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) :
1600V
Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) :
1A
Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар :
1.2V @ 1A
Суръат :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) :
-
Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr :
10µA @ 1600V
Иқтидори @ Vr, F :
8pF @ 4V, 1MHz
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
DO-213AB, MELF (Glass)
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
DO-213AB
Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ :
-65°C ~ 175°C