GeneSiC Semiconductor - GA05JT03-46

KEY Part #: K6395184

GA05JT03-46 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [1390дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$33.93209
  • 10 pcs$31.93759
  • 25 pcs$29.94160

Рақами Қисм:
GA05JT03-46
Истеҳсолкунанда:
GeneSiC Semiconductor
Тавсифи муфассал:
TRANS SJT 300V 9A.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Модулҳои драйвери барқ, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF, Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор, Диодҳо - Rectifiers - ягона, Диодҳо - Zener - Ягона, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Тиристорҳо - DIACs, SIDACs and Транзисторҳо - Биполяр (BJT) - Массаҳо ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GA05JT03-46 electronic components. GA05JT03-46 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA05JT03-46, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GA05JT03-46 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : GA05JT03-46
Истеҳсолкунанда : GeneSiC Semiconductor
Тавсифи : TRANS SJT 300V 9A
Серияхо : -
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : -
Технология : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 300V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 9A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 240 mOhm @ 5A
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : -
Vgs (Макс) : -
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : -
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 20W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 225°C (TJ)
Навъи монтаж : Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : TO-46
Бастаи / Парвандаи : TO-46-3
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
  • IXTY1N80P

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 1A TO-252.

  • IXTY48P05T

    IXYS

    MOSFET P-CH 50V 48A TO-252.

  • IXTY08N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252.

  • IXTY1N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252.

  • FDN359BN

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3.

  • FDN358P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3.