IXYS - IXFR36N50P

KEY Part #: K6416067

IXFR36N50P Нархгузорӣ (доллари ИМА) [11578дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$4.11398
  • 30 pcs$4.09352

Рақами Қисм:
IXFR36N50P
Истеҳсолкунанда:
IXYS
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS247.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона, Модулҳои драйвери барқ, Транзисторҳо - FETS, MOSFETҳо - ягона, Тиристорҳо - SCRs, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға, Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор, Транзисторҳо - Биполяр (BJT) - Массаҳо and Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in IXYS IXFR36N50P electronic components. IXFR36N50P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFR36N50P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFR36N50P Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : IXFR36N50P
Истеҳсолкунанда : IXYS
Тавсифи : MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS247
Серияхо : HiPerFET™, PolarHT™
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 500V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 19A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 93nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 5500pF @ 25V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 156W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : ISOPLUS247™
Бастаи / Парвандаи : ISOPLUS247™

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
  • IRF5803TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

  • ZVNL110A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • VN10LP

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • IRLR2905TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IRLR2703TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 23A DPAK.

  • IRFR024NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.