GeneSiC Semiconductor - MBRT200100R

KEY Part #: K6468480

Тавсифи муфассал:: DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A100P/70R

Категорияҳои оила:: KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо, Диодҳо - Zener - Ягона, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Транзисторҳо - IGBTs - ягона, Транзисторҳо - Биполяр (BJT) - Массаҳо, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо and Транзисторҳо - FETS, MOSFETҳо - ягона ...

Афзалияти рақобатӣ:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MBRT200100R electronic components. MBRT200100R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBRT200100R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Рақами Қисм : MBRT200100R

Истеҳсолкунанда : GeneSiC Semiconductor

Тавсифи : DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER

Серияхо : -

Статуси Қисми : Active

Танзимоти диод : 1 Pair Common Anode

Навъи диод : Schottky, Reverse Polarity

Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) : 100V

Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) (ба ҳар як диод) : 200A (DC)

Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар : 880mV @ 100A

Суръат : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) : -

Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr : 1mA @ 20V

Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ : -

Навъи монтаж : Chassis Mount

Бастаи / Парвандаи : Three Tower

Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : Three Tower

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед

2N5246

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 7MA TO92.
2N5953

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 5MA TO92.
2N5951_D27Z

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 13MA TO92.
BF245C_D26Z

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 25MA TO92.
LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
ATF-34143-TR1

Broadcom Limited

FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343.