Рақами Қисм :
IPSA70R750P7SAKMA1
Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
700V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
6.5A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
750 mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 70µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
8.3nC @ 400V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
306pF @ 400V
Тақсимоти барқ (Макс) :
34.7W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PG-TO251-3
Бастаи / Парвандаи :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA