Рақами Қисм :
SQ4470EY-T1_GE3
Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
60V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
16A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
68nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
3165pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
7.1W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-SO
Бастаи / Парвандаи :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)