IXYS - IXFX120N30T

KEY Part #: K6394691

IXFX120N30T Нархгузорӣ (доллари ИМА) [9959дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$5.80402
  • 10 pcs$5.22274
  • 100 pcs$4.29418
  • 500 pcs$3.59781

Рақами Қисм:
IXFX120N30T
Истеҳсолкунанда:
IXYS
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - Биполяр (BJT) - Массаҳо, Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо, Диодҳо - Zener - Ягона, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF, Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо, Тиристорҳо - SCRs and Диодҳо - RF ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in IXYS IXFX120N30T electronic components. IXFX120N30T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFX120N30T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFX120N30T Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : IXFX120N30T
Истеҳсолкунанда : IXYS
Тавсифи : MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247
Серияхо : GigaMOS™
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 300V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 265nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 20000pF @ 25V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 960W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : PLUS247™-3
Бастаи / Парвандаи : TO-247-3