Рақами Қисм :
FQI17N08LTU
Истеҳсолкунанда :
ON Semiconductor
Тавсифи :
MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
80V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
16.5A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 8.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
11.5nC @ 5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
520pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
3.75W (Ta), 65W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
I2PAK (TO-262)
Бастаи / Парвандаи :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA