GeneSiC Semiconductor - MBR20035CTR

KEY Part #: K6468494

Тавсифи муфассал:: DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 35V 200A Schottky Recovery

Категорияҳои оила:: KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Транзисторҳо - IGBTs - массивҳо, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ, Модулҳои драйвери барқ, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға, Тиристорҳо - DIACs, SIDACs and Тиристорҳо - SCRs ...

Афзалияти рақобатӣ:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR20035CTR electronic components. MBR20035CTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR20035CTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Рақами Қисм : MBR20035CTR

Истеҳсолкунанда : GeneSiC Semiconductor

Тавсифи : DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER

Серияхо : -

Статуси Қисми : Active

Танзимоти диод : 1 Pair Common Anode

Навъи диод : Schottky

Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) : 35V

Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) (ба ҳар як диод) : 200A (DC)

Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар : 650mV @ 100A

Суръат : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) : -

Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr : 5mA @ 20V

Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ : -

Навъи монтаж : Chassis Mount

Бастаи / Парвандаи : Twin Tower

Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : Twin Tower

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед

LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
BF1212WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R.
BF1217WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL SOT343R.
MMBF5485

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 10MA SOT23.
MMBFJ211

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 20MA SOT23.
MMBF4416

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 15MA SOT23.

Қисмҳои гарм