CY15B256J-SXAT Нархгузорӣ (доллари ИМА) [19303дона саҳҳомӣ]
- 1 pcs$2.38570
- 2,500 pcs$2.37383
- Рақами Қисм:
- CY15B256J-SXAT
- Истеҳсолкунанда:
- Cypress Semiconductor Corp
- Тавсифи муфассал:
- IC FRAM 256K I2C 3.4MHZ 8SOIC. F-RAM F-RAM Memory Serial
- Manufacturer's standard lead time:
- Дар фурӯш
- Муҳлати нигоҳдорӣ:
- Як сол
- Chip Аз:
- Гонконг
- RoHS:
- Намуди пардохт:
-
- Тарзи интиқол:
- Категорияҳои оила:
- KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Воридшуда - микроконтроллерҳо, Интерфейс - сенсорӣ, ламси ламсӣ, PMIC - Танзими шиддат - Идоракунандагони хаттӣ, Соат / Вақт - мушаххасоти барнома, Ҷойгиршуда - DSP (Протсессори сигналҳои рақамӣ), Мантиқ - флип-Flops, Ба даст овардани маълумот - Табдили рақамӣ ба анал and Интерфейс - Филтрҳо - Фаъол ...
- Афзалияти рақобатӣ:
- We specialize in Cypress Semiconductor Corp CY15B256J-SXAT electronic components. CY15B256J-SXAT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CY15B256J-SXAT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CY15B256J-SXAT Аттрибутҳои маҳсулот
Рақами Қисм :
CY15B256J-SXAT
Истеҳсолкунанда :
Cypress Semiconductor Corp
Тавсифи :
IC FRAM 256K I2C 3.4MHZ 8SOIC
Серияхо :
F-RAM™
Статуси Қисми :
Active
Намуди хотира :
Non-Volatile
Формати хотира :
FRAM
Технология :
FRAM (Ferroelectric RAM)
Андозаи хотира :
256Kb (32K x 8)
Фосилаи соат :
3.4MHz
Вақти давраро нависед - Калом, Саҳифа :
-
Вақти дастрасӣ :
130ns
Интерфейси хотира :
I²C
Шиддат - Таъмин :
2V ~ 3.6V
Ҳарорати амалиётӣ :
-40°C ~ 85°C (TA)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-SOIC
Охирин хабарҳо
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
-
-
-
-
71V3577S75PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X
-
TC58BYG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
-
TC58BVG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Қисмҳои гарм
- AT49BV802AT-70CI-T
- MT48H16M32L2F5-10
- AT25640AN-10SU-1.8
- AT93C56A-10TU-1.8
- AT49F002A-55PI
- AT45D161-RI
- AT28C010-12JI
- AT28BV64-30TC
- AT28HC256F-12SI
- QMP29GL064A90TFIR20H
- W25Q32FWBYIG TR
- 70V9279L15PRF8
- MT53D768M64D8RG-053 WT:D TR
- MT49H16M18CFM-33:B TR
- S25FL164K0XMFV001
- IS43LD16640A-3BLI-TR
- IS46TR16128AL-15HBLA2
- IS61LF51218A-7.5TQI-TR
- IS61QDB21M36-250M3
- CY7C1471V33-117AXC
- AT29LV040A-25TC
- AT29C040A-15TI
- M29W128GH7AZS6E
- MT29F2G16ABBEAHC-IT:E
- MT48H16M32LFCM-6 IT:B TR
- IDT71V416S15PH8
- 71342SA25J8
- IDT71024S12Y8
- IS42S16400F-6BLI
- CY7C1011DV33-10BVIT
- M25P16-VMN6P
- AT49BV002AN-70VI
- IS41LV16100B-60KL-TR
- CY62167DV18LL-55BVXI
- CY7C1387D-167AXC
- S25FS512SDSNFI011
- W631GG8MB15I
- S25FL064LABNFV011
- S29GL064N11FFIS10
- S29CD016J0MQFM113