ON Semiconductor - NTMSD3P102R2G

KEY Part #: K6413720

[13002дона саҳҳомӣ]


    Рақами Қисм:
    NTMSD3P102R2G
    Истеҳсолкунанда:
    ON Semiconductor
    Тавсифи муфассал:
    MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    Дар фурӯш
    Муҳлати нигоҳдорӣ:
    Як сол
    Chip Аз:
    Гонконг
    RoHS:
    Намуди пардохт:
    Тарзи интиқол:
    Категорияҳои оила:
    KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға, Диодҳо - Rectifiers - Массаҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ and Тиристорҳо - DIACs, SIDACs ...
    Афзалияти рақобатӣ:
    We specialize in ON Semiconductor NTMSD3P102R2G electronic components. NTMSD3P102R2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTMSD3P102R2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NTMSD3P102R2G Аттрибутҳои маҳсулот

    Рақами Қисм : NTMSD3P102R2G
    Истеҳсолкунанда : ON Semiconductor
    Тавсифи : MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC
    Серияхо : FETKY™
    Статуси Қисми : Obsolete
    Навъи FET : P-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 20V
    Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 2.34A (Ta)
    Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 3.05A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
    Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 25nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±20V
    Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 750pF @ 16V
    Хусусияти FET : Schottky Diode (Isolated)
    Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 730mW (Ta)
    Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Навъи монтаж : Surface Mount
    Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : 8-SOIC
    Бастаи / Парвандаи : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

    Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
    • IRF5804TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP.

    • IRF5805TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP.

    • IRF5800TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP.

    • IRF5805

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP.

    • IRF5800

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP.

    • IRF5804

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP.