GeneSiC Semiconductor - MSRT100140(A)D

KEY Part #: K6468488

Тавсифи муфассал:: DIODE GEN 1.4KV 100A 3 TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 1400V 100A Forward

Категорияҳои оила:: KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Диодҳо - RF, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо, Диодҳо - Rectifiers - Массаҳо, Транзисторҳо - IGBTs - массивҳо, Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо, Транзисторҳо - Ҳадафи махсус, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона and Транзисторҳо - Биполяр (BJT) - Массаҳо ...

Афзалияти рақобатӣ:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MSRT100140(A)D electronic components. MSRT100140(A)D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MSRT100140(A)D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Рақами Қисм : MSRT100140(A)D

Истеҳсолкунанда : GeneSiC Semiconductor

Тавсифи : DIODE GEN 1.4KV 100A 3 TOWER

Серияхо : -

Статуси Қисми : Active

Танзимоти диод : 1 Pair Series Connection

Навъи диод : Standard

Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) : 1400V

Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) (ба ҳар як диод) : 100A

Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар : 1.1V @ 100A

Суръат : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) : -

Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr : 10µA @ 1400V

Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ : -55°C ~ 150°C

Навъи монтаж : Chassis Mount

Бастаи / Парвандаи : Three Tower

Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : Three Tower

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед

LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
BF1212WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R.
BF1217WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL SOT343R.
MMBF5485

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 10MA SOT23.
MMBFJ211

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 20MA SOT23.
MMBF4416

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 15MA SOT23.

Қисмҳои гарм