Истеҳсолкунанда :
Diodes Incorporated
Тавсифи :
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
4.3A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
11.8nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
642pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
1.38W (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
SOT-23
Бастаи / Парвандаи :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3