Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-220AB
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
200V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
3.5A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
22nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
350pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
40W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-220AB
Бастаи / Парвандаи :
TO-220-3