VS-ST330S12P0 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [479дона саҳҳомӣ]
- 1 pcs$92.07647
- 10 pcs$88.18638
- 25 pcs$86.24093
- Рақами Қисм:
- VS-ST330S12P0
- Истеҳсолкунанда:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Тавсифи муфассал:
- SCR PHAS CONT 1200V 330A TO-118C. SCR Modules 1200 Volt 330 Amp
- Manufacturer's standard lead time:
- Дар фурӯш
- Муҳлати нигоҳдорӣ:
- Як сол
- Chip Аз:
- Гонконг
- RoHS:
- Намуди пардохт:
-
- Тарзи интиқол:
- Категорияҳои оила:
- KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Диодҳо - RF, Транзисторҳо - JFETs, Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо, Диодҳо - Rectifiers - Массаҳо, Модулҳои драйвери барқ, Транзисторҳо - IGBTs - ягона, Тиристорҳо - TRIACs and Диодҳо - Rectifiers - ягона ...
- Афзалияти рақобатӣ:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-ST330S12P0 electronic components. VS-ST330S12P0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-ST330S12P0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-ST330S12P0 Аттрибутҳои маҳсулот
Рақами Қисм :
VS-ST330S12P0
Истеҳсолкунанда :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Тавсифи :
SCR PHAS CONT 1200V 330A TO-118C
Серияхо :
-
Статуси Қисми :
Active
Шиддат - Хомӯшӣ :
1.2kV
Шиддат - Триггер дарвоза (Vgt) (Макс) :
3V
Айни замон - триггер дарвоза (Igt) (макс) :
200mA
Шиддат - Дар ҳолати (Втм) (Макс) :
1.52V
Ҷараёни - Дар бораи давлат (Он (AV)) (Макс) :
330A
Ҷорӣ - Дар бораи давлат (Он (RMS)) (Макс) :
520A
Айни замон - нигоҳ доред (Ih) (Макс) :
600mA
Ҳозир - Ҳолати хомӯш (Макс) :
50mA
Ҷараёни - Суръати бефосилаи 50, 60 Гц (Он) :
9000A, 9420A
Навъи SCR :
Standard Recovery
Ҳарорати амалиётӣ :
-40°C ~ 125°C
Навъи монтаж :
Chassis, Stud Mount
Бастаи / Парвандаи :
TO-209AE, TO-118-4, Stud
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-209AE (TO-118)
Охирин хабарҳо
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
-
BAL99E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Қисмҳои гарм
- VS-ST180S20P1
- VS-ST183S04MFN1P
- C152P
- MCR100F-8-TP
- BT155Z-1200TQ
- CPS053-2N878-WN
- CS220-10D
- NSR356
- NSD188
- JAN2N2324U4
- VS-12TTS08STRRPBF
- T72H0648B4DN
- T7SH064074DN
- T72H063564DN
- T72H044854DN
- T72H0448B4DN
- T7SH086024DN
- TYN16X-600RT,127
- S4010RS3
- VS-25TTS12FPPBF
- BT169D-L,112
- BTW67-200
- MCR22-6G
- MCR100-3G
- S6010VS3
- S2008FS21
- P0111MA2AL3
- SK008V
- 10TTS08STRR
- S2006DRP
- S6012V
- S6010V
- 16TTS08STRL
- BT258U-600R,127
- VS-16TTS08STRRPBF
- BT148W-600R,115
- BRX46
- CS218-55PB
- ST3230C16R0
- TS110-7UF