Рақами Қисм :
IAUS165N08S5N029ATMA1
Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET N-CH 80V 660A PG-HSOG-8-1
Серияхо :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
80V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
165A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 108µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
90nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
6370pF @ 40V
Тақсимоти барқ (Макс) :
167W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PG-HSOG-8-1
Бастаи / Парвандаи :
8-PowerSMD, Gull Wing