Рақами Қисм :
SCT3060ALGC11
Истеҳсолкунанда :
Rohm Semiconductor
Тавсифи :
MOSFET NCH 650V 39A TO247N
Технология :
SiCFET (Silicon Carbide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
650V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
39A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
78 mOhm @ 13A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.6V @ 6.67mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
58nC @ 18V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
852pF @ 500V
Тақсимоти барқ (Макс) :
165W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-247N
Бастаи / Парвандаи :
TO-247-3