EPC - EPC2018

KEY Part #: K6403908

Категорияҳои оила:: KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Диодҳо - Rectifiers - Массаҳо, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Транзисторҳо - Ҳадафи махсус, Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо, Тиристорҳо - TRIACs, Диодҳо - Rectifiers Bridge, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона and Транзисторҳо - IGBTs - массивҳо ...

Афзалияти рақобатӣ:: We specialize in EPC EPC2018 electronic components. EPC2018 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2018, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Рақами Қисм : EPC2018

Истеҳсолкунанда : EPC

Тавсифи : GANFET TRANS 150V 12A BUMPED DIE

Серияхо : eGaN®

Статуси Қисми : Discontinued at Digi-Key

Навъи FET : N-Channel

Технология : GaNFET (Gallium Nitride)

Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) : 150V

Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 12A (Ta)

Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 6A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 3mA

Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 7.5nC @ 5V

Vgs (Макс) : +6V, -5V

Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 540pF @ 100V

Хусусияти FET : -

Тақсимоти барқ (Макс) : -

Ҳарорати амалиётӣ : -40°C ~ 125°C (TJ)

Навъи монтаж : Surface Mount

Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : Die

Бастаи / Парвандаи : Die

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед

AUIRFR8405

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.
AUIRFR8403

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.
AUIRFR8401

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.
2SK3309(TE24L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM.
FQD3N50CTF

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK.
IRLR3715TRRPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 20V 54A DPAK.

Қисмҳои гарм