Vishay Siliconix - SI4447DY-T1-GE3

KEY Part #: K6396481

SI4447DY-T1-GE3 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [262736дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.14078
  • 2,500 pcs$0.13247

Рақами Қисм:
SI4447DY-T1-GE3
Истеҳсолкунанда:
Vishay Siliconix
Тавсифи муфассал:
MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF, Тиристорҳо - DIACs, SIDACs, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо, Диодҳо - RF, Транзисторҳо - JFETs, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Диодҳо - Zener - Ягона and Транзисторҳо - FETS, MOSFETҳо - ягона ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Vishay Siliconix SI4447DY-T1-GE3 electronic components. SI4447DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4447DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4447DY-T1-GE3 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : SI4447DY-T1-GE3
Истеҳсолкунанда : Vishay Siliconix
Тавсифи : MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC
Серияхо : TrenchFET®
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 40V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 3.3A (Ta)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 15V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 72 mOhm @ 4.5A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 14nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±16V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 805pF @ 20V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 1.1W (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : 8-SO
Бастаи / Парвандаи : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
  • DMN2028UVT-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26.

  • ZVN3306ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • FDD9409-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 90A TO252.

  • FDD86367-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V 100A DPAK.

  • SI2316DS-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3.

  • FDN302P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3.